Intel公布闪腾P4800X固态盘

　　昨天，Intel正式公布了Optane（闪腾） SSD DC P4800X，用于高端数据中心，首发容量是375GB，PCI-E 3.0 x4扩展卡款式，反对NVMe，售价1520美元（约合人民币1万元），折合4美元/GB。Intel还答应，Q2会公布U.2款式的375GB容量以及PCIe扩展卡的750GB格式，年底再推出1.5TB。

　　

　　速度方面，4KB随机读写（行列步队深度16）别离是550K和500K，延迟很是很是低，总写入极限12.3PB。

　　这是Intel Optane颁布发表以来初次出货大容量盘，固然看起来局部数据并不突出，但这仅仅是第一代。并且Optane别的一大意义是将和内存共享不异的闪存芯片（3D Xpoint Nand），这样比照的话，4美元/GB好比今动辄10美元/GB的内存条可要优秀多了。

　　高通公布205移动平台

　　日前，高通颁布发表将对骁龙品牌定位停止调解，今后不再将骁龙称为“处置惩罚器”，而改为“平台”，同时，入门级200系列不再使用“骁龙”品牌，更名为“高通移动”。

　　明天，在印度新德里，高通移动就公布了首款产物——Qualcomm 205（MSM8905）。这是高通3年来初次为功用机平台更新芯片，从此，50美元以下的功用手机将取得4G LTE反对。

　　

　　参数方面，高通移动205平台拥有双核1.1GHz CPU、 Adreno 304 GPU、双卡双待、下载速率最高150Mbps，基带掩盖反对4G到2G。由于是定位最根底的功用机，所以205平台最大反对前后300万像素，480P VGA显示屏（帧率60FPS）。

　　高通移动205平台明天开始出货，最早一批终端上市日期定在本年Q2季度。

　　AMD Ryzen发热版曝光

　　AMD Ryzen处置惩罚器在桌面上最多有8中心16线程，敌手最高定位是Intel发热级次旗舰、同样8中心16线程的Core i7-6900K，即是直接放过了最顶级的10中心20线程Core i7-6950X。只有到了办事器范畴，Zen架构才会做得更大，直接做到32中心64线程。

　　不外，最新消息称，AMD正在奥密研发自己的发热级桌面平台，经由过程双Die整合封装的方法(俗称胶水)，将两颗Ryzen 7处置惩罚器堆到一起，从而得到16中心32中心，DDR4内存通道也因此翻番为4个，而且可以拥有更富余的PCI-E通道。

　　

　　另有爆料称，这种发热Ryzen将采纳新的Socket SP3r2封装接口，热设计功耗约莫150W，为此主频不得不做一些就义，只有2.4-2.8GHz。

　　有趣的是，这套平台也会有新的芯片组，定名为X399——而Intel下代发热平台芯片组叫X299……

　　小米MIX2观点图曝光

　　作为客岁国产手机中最具立异性、最具代表性的手机，小米MIX已经成为许多米粉的“精力象征”，同时小米MIX二代也让不少米粉充斥等候。

　　此前，雷军曾在微博上透露，已经与国际设计巨匠菲利普·斯塔克再次晤面，他引见了小米MIX下一代产物的设计理念，接下来两边会不时地摸索，如何尽快把这些令人兴奋的立异酿成现实的产物。

　　日前，有网友曝光了小米MIX二代的360度衬着动图，连续了上一代的硬朗设计作风，下巴更靠下，屏占比愈加极致（靠近100%）。别的，新机还插手了双摄像头，指纹识别依然放在背部。

　　

　　业内人士潘九堂之前曾暗示，小米MIX一代的后置指纹处置惩罚得很好，毫无违和，等候下半年二代的变动。

　　据此前爆料，小米MIX第二代的屏占比预计晋升到93%，连续陶瓷机身和骨传导音频技能的同时，换上AMOLED显示屏。

　　Exynos 8895的三星Galaxy S8机能曝光

　　间隔三星上半年旗舰Galaxy S8/S8 Plus的公布不到10天的工夫，虽然本年三星增强了对新机的保密步伐，但对于Galaxy S8的信息已经被扒得满天飞，不只外不雅、硬件参数泄露，就连配套的定制AKG耳机也被评测一番。此刻，Geekbench上已经能获取到Galaxy S8的跑分成果，今朝来看，采纳了自家的Exynos 8895的S8机能上仿佛好于采纳高通骁龙835的S8。

　　依照三星以往老例，在Galaxy S8系列智妙手机将会搭载两种版本的Soc：一个是自家的Samsung Exynos 8895，国际版手机型号为代号为SM-G955F；另一个则是高通骁龙835，国际版手机型号为代号为SM-G950U。两个版本都将会搭载4GB内存，但不确定是LPDDR4X或LPDDR4。

　　三星Exynos 8895 Soc采纳领先的10nm LPE制程工艺，由4xM2中心+4x Cortex-A53中心构成8核，GPU更是堆出了Mali-G71 MP20，整合了5x20MHz载波的LTE Cat 16基带。

　　高通骁龙835处置惩罚器的采纳4+4中心设计，大中心最高频率2.45GHz，小中心1.9GHz，GPU则是Adreno 540，反对骁龙X16 LTE调制解调器，同样采纳三星10nm FinFET制程。

　　

　　左边三星Exynos 8895，右边高通骁龙835

　　如果取两者的跑分最好成果，只看单核的话，Exynos 8895 VS 骁龙835，1978 VS 1916，两者差距不大。而多核成果的话，则是6375 VS 6011，两者之间的差距扩大了。侧面反应了三星Exynos 8895 Soc机能上要稍微好一些，但高通骁龙835在内存测试名目上有优势。

　　希捷敞开韩国HDD研发中心

　　本来风景无限的机器硬盘，被固态硬盘逆袭后，日子越来越难过，这点从希捷连续敞开工场就能看出来。最新消息显示，希捷已经在上周低调的敞开了韩国京畿道省的R&D研发中心。这是希捷公司2013年才在韩国设立的研发中心，而2011年他们就颁布发表收购三星硬盘了，这阐明希捷在收购之后照旧筹算在HDD市场大干一场的，所以才在韩国设立研发中心。

　　

　　希捷韩国研发中心主要针对2.5寸硬盘，但悲剧的是2.5寸HDD硬盘是受SSD硬盘影响最大的一局部，出格是条记本市场上，SSD适配率逐年升高，2.5寸HDD硬盘举步维艰，市园地位还不如3.5寸硬盘，所以这个研发中心不外4年工夫就被希捷优化失了，裁人300多人。

　　依据希捷官方材料所说，此次步履预计会在2017财年底完成，预计会发生5000万美元阁下的税前用度。

　　本年1月初，希捷敞开了姑苏的工场，而此刻又敞开韩国研发中心，跟着机器硬盘市场销量的猖獗下降，想必希捷日后还会做出相近似的调解。